戴厚富，汕头大学工学院副教授、硕士生导师，入选汕头大学卓越人才计划（优秀人才）。在科研方面成果丰硕，以第一作者和通讯作者身份发表SCI论文44篇，其中16篇发表于中科院一区TOP期刊，另发表EI论文1篇。在知识产权领域，作为第一发明人申请国家发明专利8项，已获授权6项，其中1项实现成果转化。科研项目方面，主持国家自然科学基金项目2项、中国博士后科学基金面上项目1项、省自然科学基金项目3项等十余项科研课题。

亮点工作：

进行了BK7光学玻璃和Fused Silica光学玻璃磨削加工试验研究，揭示了两种脆性光学材料多工步磨削过程中砂轮线速度与材料去除率对磨削力、磨削温度、表面粗糙度、表面形貌、亚表面形貌及亚表面损伤深度等的影响规律；使用飞秒激光加工平台研究了激光加工参数对单晶金刚石刀具微织构槽表面质量、深度及宽度的影响，最终使用最佳激光加工参数组合在天然单晶金刚石刀具前刀面加工出宽度为10 μm-27 μm，深度为7 μm-30 μm的仿生微结构，对单晶金刚石刀具几乎没有损伤。

亮点工作一：

团队前期采用MD模拟结合织构表面和水润滑的协同作用，研究了水薄膜厚度和磨削速度对单晶SiC加工行为的影响，发现在织构和水润滑的协同作用下，磨粒-工件间的摩擦力、摩擦系数和法向力降低了。对单晶SiC工件分别构建了常规表面、微织构表面以及水润滑织构表面，并采用金刚石磨粒对其进行磨削，研究三种加工表面对纳米磨削性能的影响，发现织构表面可有效改善表面质量，同时降低磨削力、应力、磨削温度、势能和亚表面结构损伤，且水润滑织构表面可进一步降低磨削温度、势能和亚表面损伤深度。

亮点工作二：

超精密切削单晶硅，表面精度可以达到0.3nm以内，可以实现以切代抛光。

代表性成果：

[1] Houfu Dai, WenQiang Peng*. Materials removal mechanism for ultra-precise cutting of single-crystal silicon with natural single-crystal diamond tools by experiment and atomic simulation. International Journal of Refractory Metals and Hard Materials. 2024, 123: 106774. (中科院一区Top，IF= 4.2)

[2] Houfu Dai*, Weilong Wu, Ping Li*. Atomistic simulation on the removal mechanism of monocrystal silicon carbide with textured surface nano-machining in water lubrication. Journal of Manufacturing Processes. 2023, 98: 95-112. (中科院一区 TOP，IF= 6.1)

[3] Houfu Dai, Yang Hu, Weilong Wu, Haixia Yue, Xiaosong Meng, Ping Li, Huigao Duan*. Molecular dynamics simulation of ultra-precision machining 3C-SiC assisted by ion implantation. Journal of Manufacturing Processes. 2021, 69: 398-411. (中科院一区TOP，IF= 6.2)

[4] Houfu Dai*, Yuqi Zhou, Ping Li*,Yunfei Zhang. Evolution of nano-cracks in single-crystal silicon in ultraprecision mechanical polishing. Journal of Manufacturing Processes. 2020, 58: 627-636. (中科院一区TOP，IF= 6.1)

[5] Houfu Dai*, Fa Zhang, Jianbin Chen. A study of ultraprecision mechanical polishing of single-crystal silicon with laser nano-structured diamond abrasive by molecular dynamics simulation. International journal of mechanical sciences. 2019, 157: 254-266. (中科院一区TOP, IF= 7.1)

图文：工学院