报告题目：半导体照明与显示用高效率氮化物LED外延生长与芯片制造技术

报告人：周圣军

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#腾讯会议：753-161-194

报告时间：2026年3月10日晚上8点-11点

报告摘要：

GaN基LED具有节能、环保、寿命长、体积小等优点，在通用照明、汽车照明、高分辨率全彩显示、可见光通信等领域具有重要的应用价值。介绍了本课题组利用MOCVD原位生长技术、激光加工技术、ICP刻蚀技术、TMAH湿法腐蚀技术在Mini/Micro-LED芯片的不同位置制备微纳结构，提升Mini/Micro-LED芯片的光提取效率。汽车大灯和特种照明应用领域需要大电流驱动LED芯片，针对大电流驱动条件下，电流聚集导致LED芯片电注入难的问题，设计与制造了一种三维倒装结构LED芯片，通过阵列分布的三维通孔电极，缩短电流横向扩展长度，使电流分布更加均匀，解决了电流聚集问题，使蓝光LED芯片的电气效率达到99%，光输出饱和电流密度提升了一倍。在绿光LED外延结构中引入InGaN/GaN超晶格，通过调节InGaN/GaN超晶格生长温度和周期对V-pits的密度和尺寸进行调控，利用V-pits屏蔽位错，使绿光LED芯片的发光效率提升了69.2%。在InGaN基黄光LED中引入阶梯形量子阱结构，增加电子空穴波函数的空间重叠积分，显著提升了黄光LED的发光效率。发展利用溅射AlN成核层/图形衬底模板控制氮化物材料位错密度的方法，为高效率紫外LED提供技术支撑。通过能带工程异质外延生长实现单片集成III族氮化物量子结构的全光谱白光LED，实现了高效率、高显色能力、低蓝光危害的接近太阳光的全光谱发射，为高品质健康照明提供新策略。结合上述研究工作，与各位老师探讨和分享国家自然科学基金申请经验。

个人简历：

周圣军教授长期从事氮化物LED外延生长与芯片制造技术，承担国家和省部级科研任务10余项，在Science Bulletin、Nano Letters、Laser & Photonics Reviews、Nano Energy、Microsystems & Nanoengineering、ACS Applied Materials & Interfaces、Nanoscale、Applied Physics Letters、Optics Express、Optics Letters、IEEE Transactions on Electron Devices、Journal of Applied Physics等国际权威学术期刊发表第一或通讯作者SCI论文130余篇，ESI高被引论文7篇，ESI热点引论文2篇，主编学术专著2部（科学出版社和Springer出版社），获授权国家发明专利43件（21件发明专利已实现科技成果转化）。研究成果被《Semiconductor Today》和《Compound Semiconductor》专栏报道36次。担任第十七届ICEPT国际学术会议组织委员会共同主席，《光子学报》和《机电液工程学报》青年编委，获中国产学研合作创新奖（个人）、国际先进材料学会科学家奖章（IAAM Scientist Medal）、英国物理学会出版社CHINA TOP CITED PAPER AWARD等奖励。周圣军教授入选国家高层次人才，爱思唯尔中国高被引学者。

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